[비즈니스포스트] 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 D램 ‘DDR6’ 개발에 본격 나선다. DDR6는 현재 주류를 이루고 있는 DDR5보다 최대 3배 뛰어난 성능을 발휘한다.

23일 대만 공상시보에 따르면 생성형 인공지능(AI)과 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터센터 등의 메모리반도체 수요가 급증하면서 DDR6 개발이 가속화하고 있다.
 
3대 메모리반도체 기업인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 역시 DDR6 D램의 컨트롤러와 패키징 모듈의 기술 검증과 제품 레이아웃에 중점을 두고 개발에 나선 것으로 알려졌다.

공상시보에 따르면 3개 기업은 이미 DDR6 프로토타입 칩 설계를 마쳤다. 현재는 컨트롤러 제조업체와 인텔, AMD 등 중앙처리장치(CPU) 플랫폼 업체들과 인터페이스 협업 테스트까지 시작한 것으로 알려졌다. 

플랫폼 측면에서는 2026년부터 인텔, AMD가 제작하는 CPU가 DDR6를 지원할 것으로 전망된다. 이는 AI 서버와 HPC, 데이터센터 등 여러 분야에 활용될 것으로 보인다.

DDR6의 본격적 대량 생산은 2027년에 돌입할 것으로 공상시보 측은 예상했다.

국제표준화기구 제덱(JEDEC)은 이미 지난해 말 DDR6의 제품 규격 초안을 제시했다. 모바일과 전장, 로봇 등에 활용되는 저전력 ‘LPDDR6’ 메모리의 초안 역시 올해 2분기 공개됐다.

내년에는 구체적 테스트와 검증 단계에 진입해, 최종 규격까지 나올 것으로 예상된다.

DDR6의 전체적 성능은 이전 세대 DDR5보다 2~3배 더 뛰어날 것으로 파악된다. DDR6의 전송 속도는 8800MT/s(초당 100만 회 전송)이며, 최대 전송 속도는 1만7600MT/s에 이를 것으로 보인다. 김호현 기자