[비즈니스포스트] 중국 메모리반도체 기업 CXMT가 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차세대 D램 제조에 필요한 핵심 기술을 검증하는 데 성공했다고 발표했다.

1일 중국 관영매체 글로벌타임스에 따르면 CXMT는 '4F²' 구조를 적용한 6세대 D램 공정 기술의 엔지니어링 샘플 검증을 마쳤다고 전했다.

CXMT는 글로벌타임스에 성명을 내고 실제 반도체 원판(웨이퍼)을 활용한 시험을 통해 반도체의 핵심 성능 목표를 달성했다고 밝혔다.

고객사의 제품 인증 절차를 마치면 양산 단계로 진입할 수 있는 기술적 기반을 확보했다는 의미다.

4F²는 현재 널리 활용되는 6F² 구조와 비교해 D램의 메모리 셀이 차지하는 면적을 줄여 생산성과 원가 경쟁력, 성능과 전력효율 등을 개선할 수 있는 기술이다.

삼성전자와 SK하이닉스도 4F² 구조를 적용한 차세대 D램 기술을 개발하고 있다.

SK하이닉스는 2025년 4F² D램과 관련한 기술 로드맵을 공개했고 삼성전자는 2028년까지 4F² 구조를 활용한 10나노미터 미만 D램의 양산을 추진하는 것으로 전해졌다.

CXMT는 세계 최초로 4F² 구조의 엔지니어링 샘플 검증을 완료했다고 주장했다. 삼성전자나 SK하이닉스보다 빠르게 기술 상용화에 가까워지고 있다는 의미다.

글로벌타임스는 CXMT의 기술 개발이 순조롭게 진행된다면 세계 최초로 4F² 기반 D램을 상용화하는 기업이 될 수 있다고 전망했다.

CXMT는 4F² 구조를 활용한 차세대 DDR5 서버용 메모리 모듈(RDIMM)을 2026년 말까지 출시하겠다는 계획을 세우고 있다.

글로벌타임스에 따르면 CXMT는 회사 설립 초기부터 4F² D램 기술 연구개발을 이어왔으며 관련 특허도 300개 이상 확보했다는 사실을 기술 경쟁에 장점으로 앞세우고 있다.

CXMT가 10월30일 발표한 실적을 보면 2026년 1~3분기 누적 매출은 2690억2천만 위안(약 54조 원)로 2025년 1~3분기와 비교해 739% 가까이 늘었다.

연구개발 비용도 110억7천만 위안(약 2조2227억 원)으로 같은 기간 73.03% 증가했다. 김용원 기자